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薄膜開關(guān)的生長特性受沉積條件的影響，其中主要的因素有沉積速率、基片溫度、原子入射方向、基片表面狀態(tài)及真空度等。
對于不同類型的金屬，沉積速率的影響程度是不同的，這是由于真空沉積的金屬原子在基片上的遷移率與金屬的性質(zhì)和表面狀況有關(guān)。即使是同一種金屬，在不同的工藝條件下，沉積速率對薄膜結(jié)構(gòu)的影響也不完全一致。一般說來，沉積速率會影響膜層中晶粒的大小與晶粒分布的均勻度以及缺陷等。。
在低沉積速率的情況下，金屬原子在基片上遷移的時間比較長，容易到達吸附點位置，或被處于其他吸附點位置上的小島所俘獲而形成粗大的晶粒，使得薄膜的結(jié)構(gòu)粗糙，PET薄膜開關(guān)的薄膜不致密。。
同時由于沉積原子到達基片后，后續(xù)原子還沒有及時到達，因而暴露在外時間比較長，容易受殘余氣體分子或沉積過程中引人的雜質(zhì)的污染，以及產(chǎn)生各種缺陷等。。
因此，沉積速率高一些好.高沉積速率可以使薄膜晶粒細小，結(jié)構(gòu)致密，但由于同時凝結(jié)的核很多，在能量上核處于能量比較高的狀態(tài)，所以薄膜開關(guān)存在著比較大的內(nèi)應(yīng)力，同時缺陷也較多。